삼성전자, HBM4 핵심 '1c D램' 개발팀에 인센티브
삼성전자가 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)의 핵심인 1c(10나노급 6세대) D램 개발에 참여한 임직원 30명에게 4억8000만원 규모의 자사주 인센티브를 지급했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력을 회복하기 위해 최신 1c D램 공정을 HBM4에 적용하는 승부수를 던졌는데, 내부 목표를 달성한 것으로 풀이된다.
삼성전자는 지난 30일 이사회를 열고 ‘자기주식 처분 결정’을 의결했다고 공시했다. 임직원 30명에게 보통주 4790주(총 4억8139만5000원)를 지급하는 것이 골자다. 삼성전자는 “목표를 달성한 과제의 개발 인력에 대한 성과 격려 및 동기 부여 목적으로 자기주식을 지급하는 것”이라고 했다. 지급일은 지난 31일이며, 삼성전자 자기주식 계좌에서 대상자 개인 계좌로 입금됐다. 단순 평균으로는 1인당 약 1600만원이다.
인센티브 지급 대상은 1c D램 개발팀인 것으로 알려졌다. D램을 수직으로 연결하는 HBM은 인공지능(AI) 학습과 운용에 필수적인 엔비디아 AI 가속기에 들어가면서 수요가 폭증했다. 삼성전자는 5세대 HBM3E에서 엔비디아의 품질 테스트를 만족하지 못하면서 SK하이닉스에 시장을 내줬다. 삼성전자는 HBM4 시장을 공략하기 위해 경쟁사보다 1세대 앞선 1c D램을 적용했다. 삼성전자는 “HBM4의 경우, 1c D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 고객 요구를 상회하는 11Gbps(초당 11기가비트) 이상의 성능을 구현했다”고 했다. 이렇게 삼성 HBM 경쟁력 회복의 신호탄을 쏜 1c D램 성과를 내부에서도 치하하는 것이라는 분석이 나온다.
삼성전자는 최근 3분기 실적 발표를 통해 HBM3E의 엔비디아 납품을 공식화했다. 또 HBM4의 경우 샘플을 요청한 모든 고객사에 샘플을 출하했다고 밝혔다.
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